اثر میدان مغناطیسی بر روی خواص نوری چاه های کوانتومی آلاییده شده نوع n

فناوری نانو فضای تحقیق جدیدی را به روی پژوهشگران گشوده است. از جمله زمینه های مطرح شده در نانو فناوری، نانو اپتیک می باشد. با استفاده از شبیه سازی می توان پدیده های فیزیکی که در ابعاد نانو رخ می دهند را مطالعه کرد. یکی از مباحثی که در دو دهه ی گذشته در نانو اپتیک مورد توجه قرار گرفته است، تحقیق در مورد چاه های کوانتومی آلاییده است. چاه های کوانتومی آلاییده شده کاربردهای وسیعی در ابزار اپتوالکترونیکی فوق سریع از قبیل لیزرهای نیمرسانا و آشکارسازهای مادون قرمز دارند. در این پایان نامه، ضرایب جذب و تغییرات شکست خطی، غیرخطی و کل چاه کوانتومی آلاییده ی با ساختار gaas/al{x}ga{1-x}as به صورت عددی تحقیق شده است. در تقریب جرم موثر، ساختار الکترونیکی چاه کوانتومی آلاییده با حل خود سازگار معادله های شرودینگر و پواسون محاسبه می شود. خواص نوری با استفاده از تقریب ماتریس چگالی به دست می آید. نتایج نشان می دهد که با افزایش میدان مغناطیسی، قله های تشدید به سمت انرژی های بیشتر جابه جا می شوند. اندازه ی قله های تشدید خواص نوری با افزایش میدان مغناطیسی، کاهش می یابد.